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電光晶體 BBO KTP 電光效應是由于施加直流或低頻電場而導致的折射率變化。 施加到各向異性電光材料上的場可以改變其折射率，從而改變其對偏振光的影響。 折射率對所施加電場的依賴性有兩種形式：線性電光效應和二次電光。 電子光學儀器 可用于生產可控光學設備，例如Q開關應用。 如果線偏振光穿過EO晶體，則對于KD * P，An將引起a = r =2πOnL的相位延遲（T），其中L是晶體長度，例如An = 0.5∩30F6sE/ N， r = Fx3E / n的πLn3。 顯然，光的相位將隨電場（E）一起變化。 這稱為電光相位調制。 如果將兩個交叉的偏振器分別放置在E-O晶體的輸入和輸出端，如（振幅調制器）所示，則光的輸出強度將為|。 =I。sin2（G / 2），其中l。是輸入強度。 這意味著光的強度或幅度也可以通過電場進行調制。 這稱為幅度調制。 E-O調制有兩種。 如果電場和光的傳播方向相同，則為縱向E-O調制（如縱向調制所示）。 該方案中通常使用KDP同晶晶體。 如果電場和光的傳播方向是垂直的，則稱為橫向E-O調制（請參閱“橫向調制”）。 在該方案中通常使用LiNbO3，MgO：LiNbO3，ZnO：LiNbO3，BBO和KTP晶體。 半波電壓（V）定義為使T =π的電壓，例如V = 2 /（2nre3）對于LiNbO3，KD * P和V =λd/（2nr22L），其中λ是光波長，d是光波長之間的距離電極。
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